0
ویژه نامه ها

سرامیکها مورد استفاده در الکترونیک

در مواد کریستالی، الکترونها و یونها حاملهای بار هستند. به هر حال رسانایی الکتریکی ایجاد تمرکز باری و قابلیت تحرک بار است. الکترونها به دلیل جرم اندکشان، تحرک بیشتری دارند و مواد رسانا اغلبا هادی الکترون هستند. بخش
سرامیکها مورد استفاده در الکترونیک
سرامیکها مورد استفاده در الکترونیک

 

نویسندگان: فیلیپ بوش و ژان کلود نیپس
مترجم: حبیب الله علیخانی
منبع فارسی: راسخون




 

رساناها و عایقها

در مواد کریستالی، الکترونها و یونها حاملهای بار هستند. به هر حال رسانایی الکتریکی ایجاد تمرکز باری و قابلیت تحرک بار است. الکترونها به دلیل جرم اندکشان، تحرک بیشتری دارند و مواد رسانا اغلبا هادی الکترون هستند. بخش اعظم این مقاله به بررسی خواص الکتریکی جامدات میپردازد در حالی که رسانایی یونی نیز به طور مختصر مورد بررسی قرار میگیرد.
وجه تمایز میان مواد عایق و رسانا را میتوان بوسیلهی چهارچوب تئوری نواری که توسط بلاخ و ویلسون (Bloch and Wilson) در سال 1929 ارائه شده است، توضیح داد.
یک جامد مجموعهای از ذرات باردار( الکترونها و هستهها) است. به دلیل تفاوت میان جرم، حرکت هستهی اتم نسبت به الکترونها بسیار کمتر است و موقعیتشان صرفا به عنوان پارامترهایی در نظر گرفته میشود و تابع معینی از زمان نیست( حل معادلهی شرودینگر). علاوه بر این دافعهی کلمبی یک الکترون با سایر الکترونها در سراسر جمعیت الکترونها، میانگین گرفته میشود. دو فرض اساسی در نظریهی نواری وجود دارد. فرضهایی که اغلبا برای مواد سرامیکی به طور کامل ارضا نمیشوند(ای مسئله بعدا به طور مفصل بحث میشود). بنابراین این کافی است که حرکت یک الکترونی را در نظر بگیریم که در داخل یک پتانسیل مؤثر قرار داده شده است و سطوح و حالتهای انرژی آن را با اعمال معادلات مکانیک کوانتوم برای آن، تعیین کنیم. با اینکه تخمینهایی را در نظر میگیریم، این مسئله همچنان یک مسئلهی پیچیده است. در مورد جامدهای پیچیده مانند اکسیدها، سیلیکاتها و غیره، تابع موج(سرامیکها مورد استفاده در الکترونیک ) اغلبا به صورت ترکیبی خطی از اربیتالهای اتمیسرامیکها مورد استفاده در الکترونیک بوجود میآید:
سرامیکها مورد استفاده در الکترونیک
از یک سو جمع بندی مربوط به موقعیتهای هستههایسرامیکها مورد استفاده در الکترونیک و از سوی دیگر اربیتالهای اتمی باقی مانده است. شرط مینیمم شدن انرژی به ما اجازه میدهد تا ضرایبسرامیکها مورد استفاده در الکترونیک را محاسبه کنیم. فاکتور موجسرامیکها مورد استفاده در الکترونیک که در فضای معکوس قابل تشخیص است، کمک میکند تا حالتهای الکترونی اندیس گذاری شوند. همپوشانی اوربیتال ها بر متمرکز شده بر روی هسته اتمی مختلف مسئول از بین رفتن هم ترازی سطوح اتمی در نظر گرفته شده و توزیع انرژی حالتهای الکترونی در باندهای انرژی مختلف است. هم پوشانی بیشتر باعث پدید آمدن باندهای پهنتر میشود. در اغلب موارد، تعیین اطلاعات جزئی درمورد تغییرات انرژی الکترونی مربوط به بردار موج، ضروری نیست، تنها تعیین دانسیتهی حالت الکترونی(سرامیکها مورد استفاده در الکترونیک ) کفایت میکند( شکل 1 را ببینید).
سرامیکها مورد استفاده در الکترونیک
این حلات بعدا بوسیلهی الکترونهای موجود پر میشوند. پر شدن الکترونها بر اساس قانون پائولی انجام میشود. این قانونی میگوید: تنها دو الکترون، با اسپینهای مخالف سرامیکها مورد استفاده در الکترونیک میتوانند هر حالت را پر کنند. انرژی آخرین الکترون، سطح فرمی( Fermi level) نامیده میشود. نواری که در آن سطح فرمی قرار دارد، نوار والانس نامیده میشود. اگر نوار یک مادهی جامد به طور کامل پر باشد، این جامد یک عایق است وگرنه رساناست( شکل 2 را ببینید).
سرامیکها مورد استفاده در الکترونیک

عایقها

برخی از سرامیکها اکسید هستند. نوار والانس این مواد ضرورتا از اربیتالهای اتمی 2p اکسیژن ساخته شده است و آنها بوسیلهی الکترونهای اکسیژن پر شدهاند( آرایش اتمیسرامیکها مورد استفاده در الکترونیک ) و بقیهی این فضاها بوسیلهی الکترونهایی مهیا شده بوسیلهی کاتیونها، پر میشوند. برای مثال در مورد MgO، نوار سرامیکها مورد استفاده در الکترونیک اشباع است، نوار با انرژی بالاتر که بلافاصله قرار دارد( یعنی نوار سرامیکها مورد استفاده در الکترونیک ) خالی است و ما میتوانیم به درستی در مورد یونهایسرامیکها مورد استفاده در الکترونیک وسرامیکها مورد استفاده در الکترونیک صحبت کنیم. این ماده یک مادهی رساناست.
تمام اکسیدها مواد سادهای نیستند. برای مثال کوارتز سرامیکها مورد استفاده در الکترونیک( ) را در نظر بگیرید. پیوندهای Si-O به طور ضروری از نوع کوالانسی هستند که میتوان با کمک اربیتالهای مولکولی این مسئله را توصیف کرد. اربیتالهای اتمی s وسرامیکها مورد استفاده در الکترونیک از سیلیسیم به طور خطی ترکیب میشوند و هیبریداسیونسرامیکها مورد استفاده در الکترونیک را بوجود میآورند که تعداد اربیتال ها در این حالت ترکیبی 4 است. این بخشها با 6 اربیتال سرامیکها مورد استفاده در الکترونیک از دو اتم اکسیژن تداخل پیدا میکنند و 10 اربیتال مولکولی گروهسرامیکها مورد استفاده در الکترونیک را بوجود میآورند. با استفاده از آنها در معادلهی بالا، حالتهای کوانتمی یک الکترون در کریستال تعیین میشود. این اربیتال ها به دو گروه مجزا از نوارهای انرژی، تقسیم بندی میشوند که 6 و 4 تا از اربیتالهای مولکولی در هر گروهسرامیکها مورد استفاده در الکترونیک بوجود میآید. 12 الکترون از هر گروه، به طور جمعی پایینترین نوار انرژی را پر میکنند. بیابراین کوارتز عایق است.
در این دو مثال، یک نوار ممنوعهی با پهنای زیاد( به ترتیب حدود 7.6 و 8.4 الکترون ولت) بوجود میآید و بدین صورت نوار والانس از نوار انرژی که قرار گرفته در سطح بالاتر، جدا میشود( این نوار که بلافاصله در بالاتر از نوار انرژی قرار دارد، نوار رسانش نامیده میشود). رسانایی در برخی از سرامیکها مانند اکسیدها( مانند اکسید منیزیم، اکسید به رلیم، اکسید آلومینیوم و ...)، سیلیکاتها( مانند اکسید سیلیسیم، سیلیکات منیزیم و ...) و نیتریدها( مانند نیترید آلومینیوم، نیترید سیلیسیم و ...) وجود دارد( هم رسانایی یونی و هم الکترونی). اغلبا نوع رسانایی را ناخالصیها تعیین میکنند. این رسانایی به طور نمونه وار کمتر از سرامیکها مورد استفاده در الکترونیک است.

نیمه رساناها

در بیان بالا که در مورد تئوری نواری بود، دما برای ساده سازی صفر در نظر گرفته شد. در مورد مواد عایق، اثر دما، انتقال الکترونها از نوار والانس به نوار رسانش است. در این حالت نوار رسانش به طور کامل خالی نیست و همچنین نوار والانس نیز به طور کامل پر نیست و از این رو هر دو نوار در رسانش شرکت میکنند. اگر رسانایی به طور قابل توجه بالا رود( حدودسرامیکها مورد استفاده در الکترونیک )، ما این ماده را نیمه رسانا مینامیم. حاملهای بار الکترونهایی هستند که در نوار رسانش قرار گرفتهاند( با غلظت n) و همچنین بخشی از رسانش نیز مربوط به الکترونهایی است که در نوار والانش واقع اند. معمولا رسانایی در نوار والانس را به حفرات نسبت میدهند( با غلظت p؛ در واقع p کسر حالتهای پر نشده است). غلظتهای n و P با استفاده از روابط زیر محاسبه میشوند:
سرامیکها مورد استفاده در الکترونیک
اگرسرامیکها مورد استفاده در الکترونیک پتانسیل شیمیایی الکترونها باشد، هنوز هم با تعمیم دادن، آن را سطح فرمی مینامیم.سرامیکها مورد استفاده در الکترونیک و سرامیکها مورد استفاده در الکترونیک به ترتیب انرژی در پایین نوار رسانش ( مربوط به دانسیتهی حالت مؤثرسرامیکها مورد استفاده در الکترونیک ) و بالای نوار والانس( مربوط به دانسیتهی حالت مؤثر:سرامیکها مورد استفاده در الکترونیک ) هستند:
سرامیکها مورد استفاده در الکترونیک
و سرامیکها مورد استفاده در الکترونیک جرمهای مؤثر الکترونهای رسانش و حفرات الکترونی هستند( که در زیر تعریف شدهاند). یا حتی :
سرامیکها مورد استفاده در الکترونیک
که در اینجاسرامیکها مورد استفاده در الکترونیک ، عرض نوار ممنوعهی میان نوار والانس و نوار رسانش است. این قانون کسر جرمی به معادلهی شیمیایی زیر مربوط است:
سرامیکها مورد استفاده در الکترونیک
مشابه انتقال یک الکترون از نوار والانس به نوار رسانشسرامیکها مورد استفاده در الکترونیک ، با ایجاد یک حفرهسرامیکها مورد استفاده در الکترونیک در نوار والانس، انرژی مورد نیاز با سرامیکها مورد استفاده در الکترونیک برابر میشود.

رساناهای فلزی

یک نوار والانس نیمه پر نشاندهندهی این است که ماده رساناست. رسانایی بالاست( بالاتر از سرامیکها مورد استفاده در الکترونیک ) و با افزایش دما، به طور اندکی کاهش مییابد. بگذارید متذکر شویم که اکسیدهایی مانندسرامیکها مورد استفاده در الکترونیک ، ، و مواد غیر اکسیدی مانندسرامیکها مورد استفاده در الکترونیک و این ویژگی فلزی را از خود نشان میدهند. خانوادهی برنزهای تنگستن با فرمول شیمیاییسرامیکها مورد استفاده در الکترونیک به طور نمونه وار مورد توجه قرار گرفتهاند زیرا میتوان با تغییر مقدار سدیم این مواد، غلظت الکترون آنها را تغییر داد.
الکترونهای نوار والانس یعنی الکترونهای قرار گرفته در یک سطح انرژی KT نزدیک به سطح فرمی، سبب میشوند تا چندین ویژگی فیزیکی مانند رسانایی الکتریکی، گرمای ویژه، قابلیت مغناطیسی شدن( پارامغناطیس پائولی) و غیره در ماده ایجاد شود. این مشارکتهای الکترونی را میتوان به طور تجربی محاسبه کرد.
تخمینهای مختلف بدست آمده در مورد دانسیتهی حالت در سطح فرمی(سرامیکها مورد استفاده در الکترونیک ) عموما متوازن است. برخی اوقات این تنها کافی است که مدل الکترون آزاد ساده شده را مورد استفاده قرار داد و بوسیلهی این کار روابط موجود در جدول 1 و عبارتهای تصحیحی را بدست آورد؛ اما در اغلب موارد این ضروری است که در مورد فرض الکترونهای غیر مستقر( independent electrons) تجدید نظر کرد.
سرامیکها مورد استفاده در الکترونیک
قانون ترد پائولی یک ارتباط میان متغیرهای اسپینی و مختصات فضایی معرفی میکند. در حقیقت، دو الکترون با اسپین غیر موازی میتواند حالت یکسانی را به خود اختصاص دهد( تابع موج یکسان، دانسیتهی الکترونی یکسان، دافعهی ماکزیمم)؛ که این مسئله در موقعی که اسپینهای آنها موازی باشد، رخ نمیدهد. تفاوت در انرژیهای دافعه برای این آرایش فضایی( K)، انرژی تبادلی( exchange energy) نامیده میشود. این باعث میشود تا جفتهای الکترونی با اسپین یکسان پایدار باشند. مغناطش پذیری افزایش مییابد و با توجه به کار انجام شده توسط Stoner:
سرامیکها مورد استفاده در الکترونیک
اثری است که در برخی از اجزای رسانا مانندسرامیکها مورد استفاده در الکترونیک دیده میشود. این رابطه همچنین نشان میدهد که اگر میانکنش به حد کافی بزرگ باشدسرامیکها مورد استفاده در الکترونیک ، حالت پارامغناطیس ناپایدار است. این نحوهای است که وجود فرومغناطیس در اکسید سرامیکها مورد استفاده در الکترونیک ( در کمتر از دمای 450K) توضیح داده میشود.
بنابراین، این میانکنشهای به منظور بررسی تئوری نواری مورد استفاده قرار میگیرد. به هر حال این منطبق کردن، ممکن است که با در نظر گرفتن مجزای جمعیتهای الکترونی با اسپینسرامیکها مورد استفاده در الکترونیک و ( آن بخشی از الکترونها که به مقدار پتانسیل تبادلی رسیدهاند)، انجام شود.

مشارکت یونها در رسانایی

در مباحث قبلی سهم یونها در رسانایی در نظر گرفته نمیشد. به هر حال رسانایی یونی را باید در دو حالت در نظر گرفت، یکی در موقعی که ماده عایق( در موقعی که سهم الکترون در رسانایی بسیار کم است) و موقعی که ما با الکترولیت جامد سروکار داریم.
انتقال یونها از طریق عیوب نقطهای انجام میشود. عیوب نقطهای همواره در جامدهای کریستالی وجود دارند. این عیوب عمدتا جاهای خالی کاتدی یا آندی یا فضاهای بین نشینی هستند( شکل 3).
سرامیکها مورد استفاده در الکترونیک
مکانیزم انتقال یک فرایند نفوذ است که به طور خلاصه توصیف میشود. در حالت جامد، یونها بر روی سایتهای با انرژی آزاد مینیمم، تمرکز پیدا میکنند. حضور این تمرکز با استفاده از موانع پتانسیل که یک سایت را از سایتهای همسایه جدا میکند، قابل تشخیص است( شکل 4).
سرامیکها مورد استفاده در الکترونیک
به طور دقیقتر باید گفت که یونی در حول این وضعیتهای تعادلی نوسان میکنند( به صورت نوسانگر هارمونیک با فرکانسسرامیکها مورد استفاده در الکترونیک که به طور نمونه وار در جابجاییهای با دامنهی پایین برابرسرامیکها مورد استفاده در الکترونیک است).
احتمال وقوع جابجاییهای با دامنهی بالا نیز وجود دارد اما این نوع از جابجایی نادر است زیرا احتمال وقوع آن متناسب است با:
سرامیکها مورد استفاده در الکترونیک
S و U به ترتیب آنتروپی و آنتالپی بوجود آورندهی انرژی آزاد هستند. عبور از سد پتانسیل و بنابراین جابجایی یونی از یک مکان به مکان کناری آن، وقتی رخ میدهد که انرژی آزاد کمینهی(سرامیکها مورد استفاده در الکترونیک ) بوجود آید. در غیاب یک میدان اعمال شده، جابجایی معکوس و مستقیم با فرکانس یکسان رخ میدهد:
سرامیکها مورد استفاده در الکترونیک
و شار بار ماکروسکوپیک صفر میشود. در حضور یک میدان الکتریکی یکنواخت(سرامیکها مورد استفاده در الکترونیک )، سیستم دیگر متقارن نمیباشد. در حقیقت، یک سهم اضافی به انرژی آزاد اضافه میگردد(سرامیکها مورد استفاده در الکترونیک ) که علامت آن به جهت جابجایی بستگی دارد و به صورت زیر محاسبه میشود:
سرامیکها مورد استفاده در الکترونیک
یک بسط تیلور مرتبه 1 محاسبه شده است و بوسیلهی مقادیر متداول از میدانهای الکتریکی اعمال شده، مورد تصدیق قرار گرفته است. بهمین نحو:
سرامیکها مورد استفاده در الکترونیک
شار بار برابر است با تعداد پرشهایی که در واحد زمان و واحد سطح( عمود بر میدان اعمال شده) رخ میدهد( یعنی سرامیکها مورد استفاده در الکترونیک ). اگرسرامیکها مورد استفاده در الکترونیک غلظت حجمی عیوب باشد. دانسیتهی جریان کل( J) برابر است با:
سرامیکها مورد استفاده در الکترونیک
قانون اهم ثابت میشود که به ما اجازه میدهد تا رسانایی یونی(سرامیکها مورد استفاده در الکترونیک ) را تعریف کنیم:
سرامیکها مورد استفاده در الکترونیک
و همچنین موبیلیتهی عیوب به صورت زیر محاسبه میشود:
سرامیکها مورد استفاده در الکترونیک
بنابراین موبیلیته یک تابع بسیار حساس از سد پتانسیل(سرامیکها مورد استفاده در الکترونیک ) است و در اغلب موارد، تنها یک نوع از یونها متحرک هستند.
در اغلب موارد،سرامیکها مورد استفاده در الکترونیک در گسترهی 0.5 تا 1.5 الکترون ولت است( تعدادی مثال را در جدول 2 ببینید). در نتیجه موبیلیتهی یونی پایین است( یعنی میزان آن بسیار کمتر از موبیلیتهی الکترونهاست) اما این موبیلیته به میزان زیادی به دما بستگی دارد. بنابراین برای یک انرژی اکتیواسیون سرامیکها مورد استفاده در الکترونیک ( الکترون ولت)، موبیلیته در دمای 300K ، تقریباسرامیکها مورد استفاده در الکترونیک و در دمای 1200K میزان آن برابر سرامیکها مورد استفاده در الکترونیک است. برای مقایسه میتوان از ارقام موجود در جدول 3 استفاده کنید. در میان فاکتورهایی که مقادیر کم سرامیکها مورد استفاده در الکترونیک از را ترویج میدهند ، موارد زیر را نام میبریم:
سرامیکها مورد استفاده در الکترونیک
2. ویژگیهای محیطی: هندسهی یون باید کوچک باشد( تتراهدرال به جای اکتاهدرال)؛ آرایش چندوجهی ها( ترکیب تتراهدرال ها از طریق وجهها به جای رئوس)؛ تراکم شبکههای داخل کریستالی( مهاجرت اکسیژن در یک اکسید با ساختار متراکم سخت است. در واقع باز بودن ساختارهایی مانند پروسکایت و فلورین، موجب سهولت این مهاجرت میشود). در یک ترکیب با فرمولسرامیکها مورد استفاده در الکترونیک ، سهولت مهاجرت یکی از یونها با طبیعت قطبی شدن دیگری، افزایش مییابد( برای مثال Bi و Pb اگر رسانایی آنیونی داشته باشند).
سرامیکها مورد استفاده در الکترونیک
غلظت عیوب با یک گروه از معادلات مزدوج، قوانین جمع بندی و قوانین مربوط به مقاء کنترل میشود و سرامیکها مورد استفاده در الکترونیک اغلبا به صورت گرمایی فعال میشود. در نتیجه انرژی اکتیواسیون رسانایی یونی مجموع این دو بخش است( یعنی یکترم انتقالی و یکترم منعکس کنندهی اثر دما بر روی غلظت عیوب).
سرامیکها مورد استفاده در الکترونیک
توجه کنید که برخی اوقات دانستن این مسئله مشکل است که آیا یک تغییر شیب یا تغییر مستمر در انرژی اکتیواسیون( نسبت به دما) وجود دارد یا نه! در مورد آخر، سرامیکها مورد استفاده در الکترونیک شیبسرامیکها مورد استفاده در الکترونیک در مقابل سرامیکها مورد استفاده در الکترونیک نیست. در واقع:
سرامیکها مورد استفاده در الکترونیک
معادلهی دیفرانسیلی است که به ما کمک میکند تاسرامیکها مورد استفاده در الکترونیک را محاسبه کنیم( البته اگر نمودار به نحوی اصلاح گردد که در یک گسترهی دمایی به اندازهی کافی بزرگ واقع شده باشد.
این ممکن است که غلظت عیوب را با استفاده از فرایند دوپ کردن ثابت کرد. بنابراین زیرکونیا استعداد تشکیل یک محلول جامد با آهک را دارد به نحوی که این محلول کاملا تعمیم یافته باشد و در این حالت کلسیم با زیرکونیوم جایگزین میشود:
سرامیکها مورد استفاده در الکترونیک
بنابراین غلظت جای خالی اکسیژن بوجود آمده زیاد است( حدودسرامیکها مورد استفاده در الکترونیک برای 10% مولی عامل دوپ شونده) که این مسئله علت رسانایی آنیونی بالای زیرکونیای تسبیت شده را بیان میکند. این وضعیت خنثایی الکترونی که در آن تنها دو عبارت با وقفه مواجه میشوند، در اتمسفر با ویژگی کاهندگی بالا، قابل قبول است. در این شرایط جاهای خالی اکسیژن دارای منبع مضاعف هستند( یعنی منابع ذاتی و غیر ذاتی) که این مسئله موجب میشود تا تعادل شیمیایی زیر حاصل شود:
سرامیکها مورد استفاده در الکترونیک
رسانایی همین طور که از اندازه گیری مقاومت بدست میآید، شامل توزیع تمام حاملهای بار است. این ضروری است که از تکنیکهای تجربی اضافی استفاده کنیم تا بدین وسیله توزیع نسبی یونها(سرامیکها مورد استفاده در الکترونیک ) و الکترونها(سرامیکها مورد استفاده در الکترونیک ) را مورد ارزیابی قرار دهیم و به واسطهی این کار تعداد یونهای انتقال یافته( سرامیکها مورد استفاده در الکترونیک) به صورت زیر تعریف میشود:
سرامیکها مورد استفاده در الکترونیک
جمع این مقدار باسرامیکها مورد استفاده در الکترونیک برابر 1 میشود. این مسئله به پارامترهای ترمودینامیکی بستگی دارد که حالت ترمودینامیکی را تثبیت میکنند. در جایی که با اکسیدهای دوتایی روبرو هستیم، این پارامترهای ترمودینامیکی عبارتست از دما وسرامیکها مورد استفاده در الکترونیک ( فشار کل در 1 اتمسفر ثابت شده است). ما میتوانیم یک قلمرو از رسانایی یونی را با استفاده از ثابت نگه داشتن سرامیکها مورد استفاده در الکترونیک در 0.99 تعریف کنیم( شکل 5 را ببینید).
سرامیکها مورد استفاده در الکترونیک
در داخل این قلمرو، ماده به عنوان یک الکترولیت جامد در نظر گرفته میشود. در گسترهی سرامیکها مورد استفاده در الکترونیک ، مواد به عنوان رساناهای مخلوط نامیده میشوند( یعنی هم دارای رسانایی یونی و هم رسانایی الکترونی هستند). اغلبا این مواد خاصیت رسانایی الکترونی را با پولارونهای کوچک( small polarons) از خود نشان میدهد. اگر تعداد انتقالهای یونی کمتر از 0.01 باشد، ماده یک رسانای الکترونی است.
جدول2 نشان میدهد که برای برخی از مواد،سرامیکها مورد استفاده در الکترونیک بسیار کوچکتر از 0.5 الکترون ولت است. رسانایی یونی میتواند ازسرامیکها مورد استفاده در الکترونیک 0.01 بیشتر شود. این مسئله نشان دهندهی ایجاد یک مادهی ابر رسانای یونی است که کارهای زیادی بر روی آنها انجام شده است. این مواد ابر رسانای یونی بسیار متنوع اند. باید یادآوری کنیم که:
1. نقره یدید( AgI) با ساختار هگزاگونال در دمای معمولی دارای خاصیت ابر رسانایی یونی است. این ماده دارای یک ساختار مکعبی در دمای بالاتر از 147 درجهی سانتیگراد است که این ساختار فاز α نامیده میشود. تغییر آنتروپی در طی استحاله به آنتروپی ذوب یک رسانای یونی معمولی، نزدیک است. این مسئله مشابه ایجاد یک بی نظمی بزرگ در مقیاس کوچکتر از شبکه است که در طی استحاله رخ میدهد. فضاهای بین نشینی، فضاهای عادی است که دارای انرژی آزاد نزدیک به انرژی آزاد فضاهای عادی است و غلظت فضاهای موجود برای اینکه رسانایی رخ دهد، باید زیاد باشد. این ممکن است که دمای استحاله با استفاده از جایگزینی آنیونی یا کاتیونی( مانندسرامیکها مورد استفاده در الکترونیک )، به زیر دمای متعارفی انتقال یابد. رفتار اکسید بیسموت(سرامیکها مورد استفاده در الکترونیک ) نیز مشابه است: استحالهی فاز دما پایین α و تبدیل آن به فرم دما بالای ( در دمای 729 درجهی سانتیگراد)، با تغییر زیادی در آنتروپی همراه است و یک چهارم مکانهای آنیونی در ساختار سرامیکها مورد استفاده در الکترونیک جدید خالی میمانند. در این حالت رسانایی کمتر از سرامیکها مورد استفاده در الکترونیک است. به هر حال دمای ذوبسرامیکها مورد استفاده در الکترونیک پتانسیل استفاده از این مواد را برای یک تعداد خاصی از ترکیبات مانند فلئوریدها، ایجاد میکند. در این حالت استحاله نفوذی است.
2. وجود بی نظمیهای فراوان در زیرساختار شبکهی کاتیونی یونهای سدیم نیز باعث ایجاد ویژگیهای خاص در آلومینیومسرامیکها مورد استفاده در الکترونیک میشودسرامیکها مورد استفاده در الکترونیک . این ماده از بلوکهای جایگزین شدهیسرامیکها مورد استفاده در الکترونیک با ساختار اسپینلی تشکیل شده است که بوسیلهی صفحات دارای یون سدیم از هم جدا شدهاند. بنابراین رسانایی یونی دو بعدی است. سدیم میتواند با یونهای تک ظرفیتی دیگر جایگزین بشود اما این مسئله اثبات شده است که سدیم دارای بیشترین موبیلیته است. فرمسرامیکها مورد استفاده در الکترونیک سرامیکها مورد استفاده در الکترونیک این ماده که دارای ساختاری اندکی متفاوت است، دارای رسانایی بیشتری است. دیگر ترکیبات مشابه، سرامیکها مورد استفاده در الکترونیک و خانوادهی سرامیکها مورد استفاده در الکترونیک هستند که با جانشینی کسری از وانادیوم ها با یونهای دو ظرفیتی ساخته شدهاند. مس بهترین نتیجه را به همراه دارد و رسانایی مادهای که وانادیومهای آن با مس جایگزین شده است، در دمای 350 درجهی سانتیگراد به اندازهی سرامیکها مورد استفاده در الکترونیک میرسد.
3. ساختار بازتر باعث افزایش رسانایی یونی میشود. جایگزینی یونی در کانالهای داخلی رخ میدهد. این جایگزینی در خانوادهی Nasicon (و مثال شاخص آن یعنیسرامیکها مورد استفاده در الکترونیک ) با سدیم موجب ایجاد یون متحرک میشود.
برای اینکه قادر باشیم در مورد ابر رسانایی یونی صحبت کنیم و بتوانیم ابهامات موجود در این زمینه را برطرف کنیم، نیاز داریم که در زمان یکسانی، غلظت بالایی از بارهای متحرک سرامیکها مورد استفاده در الکترونیک را داشته باشیم و مقدارسرامیکها مورد استفاده در الکترونیک کوچک باشد( بنابراین زیرکونیای تثبیت شده رسانای یونی نیست). زمان باقی ماندن یک یون بر روی مکان خود با زمان عبور قابل مقایسه است و مدل سادهی مورد استفاده تا اینجا، دیگر قابل استفاده نمیباشد. در این حالت دینامیک یونهای متحرک بسیار پیچیده میشود.

دی الکتریکها

دی الکتریک چیست؟ این مواد در ابتدا همگی عایق هستند؛ اما این معنای کاملی برای این مواد محسوب نمیشود: قطبی شدن این مواد در حضور یک میدان الکتریکی باید از جمله ویژگی الکتریکی اصلی این مواد باشد. از این رو کووردیریت( cordierite) اگر برای ساخت زیرلایه مورد استفاده قرار گیرد، به عنوان عایق در نظر گرفته میشود و اگر برای ساخت خازن مورد استفاده قرار گیرد، به عنوان دی الکتریک در نظر گرفته میشود.

مواد فروالکتریک

استحالهی پارا-فروالکتریک

برای برخی از مواد پارا الکتریک، کاهش دما باعث پدید آمدن یک قطبش خود به خود در یک دمای معینسرامیکها مورد استفاده در الکترونیک میشود که این دما، دمای کوری( Curie temperature) نامیده میشود. این استحاله تمام ویژگیهای یک استحالهی فازی را به نمایش میگذارد که سرامیکها مورد استفاده در الکترونیک پارامتر نظم است. در زیر دمای سرامیکها مورد استفاده در الکترونیک با دما تغییر میکند و پدیدهی پیروالکتریک را بوجود میآورد. فاز دما پایین فاز فروالکتریک نامیده میشود. این استحاله عموما با یک تغییر در ساختار همراه است. یک مثال بارز از این نوع استحاله در تیتانات باریوم(سرامیکها مورد استفاده در الکترونیک ) با ساختار پروسکایت( perovskite) است. در دمای بالاتر ازسرامیکها مورد استفاده در الکترونیک این ماده( 120 درجهی سانتیگراد)، ساختار آن مکعبی و در دمای زیر ساختار تتراگونال است( شکل 1 را ببینید). در حالت فروالکتریک، قطبی شدن از جابجایی کاتیونها و آنیونها( به اندازهی 0.01 نانومتر) در جهت مخالف هم دیگر، بوجود میآید. با کاهش بیشتر دما تغییرات حاصله در ساختار کریستالی، تشدید میشوند اما ماده هنوز هم فروالکتریک باقی میماند( حلتهای فروالکتریک مختلف). نیروی محرکه نتیجهای از کاهش انرژی آزاد است.
سرامیکها مورد استفاده در الکترونیک
انرژی تعاملی( interaction energy) دو دوقطبیسرامیکها مورد استفاده در الکترونیک برابر است با سرامیکها مورد استفاده در الکترونیک ، اگرسرامیکها مورد استفاده در الکترونیک میدان الکتریک بوجود آمده در دوقطبی 1 باشد که بوسیلهی دوقطبی 2 بوجود آمده است. این محاسبه نشان داد که این انرژی در مقایسه با محصولسرامیکها مورد استفاده در الکترونیک ، منفی است و در صورتی که دوقطبیها موازی باشند و هر دو بر خط واصل آنها عمود باشند، مقدار آن حداقل است. این منشأ فعل و انفعالی است که منجر میشود دوقطبیها در طول یک جهت متداول جهت گیری کنند. همچنین این مسئله پایداری حالت فروالکتریک را توضیح میدهد. به هر حال ایجاد دوقطبیهای دائمی مستلزم جابجایی یونهاست و این مسئله انرژی آزاد یک کمیت سرامیکها مورد استفاده در الکترونیک را که دارای منشأ الاستیک است، افزایش میدهد؛ یعنی
سرامیکها مورد استفاده در الکترونیک
سرامیکها مورد استفاده در الکترونیکانرژی آزاد حالت پارا الکتریک است. برای تغییر شکلهای کوچک(سرامیکها مورد استفاده در الکترونیک )، پتانسیل فعل و انفعال میان یونها را میتوان به صورت هارمونیک در نظر گرفت:
سرامیکها مورد استفاده در الکترونیک
که در این حالت دوقطبی شدن با تغییر شکل قابل قیاس است. بنابراین هر دو عبارت نسبت به p درجه دو هستند. با فرض کردن یک وابستگی دمایی خطی از سفتی( k)، انرژی آزاد( G) به صورت زیر بازنویسی میشود:
سرامیکها مورد استفاده در الکترونیک
بنابراین حالت فروالکتریک برای دماهای کمتر ازسرامیکها مورد استفاده در الکترونیک ، پایدار است. توجه کنید که هر چیزی که فکر میکنیم ممکن است اتفاق افتد، زیرا یک سفتی ظاهری(سرامیکها مورد استفاده در الکترونیک ) وجود دارد. در فاز پارا الکتریک، فرکانس یکی از حالتهای لرزش( vibration modes) در شبکه به عنوان حالت ملایم در نظر گرفته میشود:
سرامیکها مورد استفاده در الکترونیک
این مقدار در دمای استحاله حذف میشود. یک تغییر شکل دائمی، مشابه چیزی که در حالت فروالکتریک رخ میدهد، میتواند به عنوان یک حالت لرزش تکی از فرکانس صفر در نظر گرفته شود.
قطبی شدن خود به خودی، قطبی شدنی است که در آن انرژی آزاد مینیمم است. برای سرامیکها مورد استفاده در الکترونیک ، سرامیکها مورد استفاده در الکترونیک است که این مسئله نشاندهندهی نامناسب بودن بسط تیلور درجه دو است. ما باید توزیع غیر متوازن را برای انرژی الاستیک در نظر بگیریم. که تنها با در نظر گرفتن این عبارت به صورت درجهی زوج، پلاریزاسیون
سرامیکها مورد استفاده در الکترونیک
این مسئله همچنین اثبات شده است که استحاله از درجهی دو است. برای توصیف استحالهی دوجهی اول( مطابق با مشاهدات انجام شده بر روی تیتانات باریوم و چندین اکسید دیگر)، انرژی آزاد به عبارتی با درجهی بالا( تا درجهی 6) بسط داده میشود. روابط قبلی هنوز هم به خوبی برقرارند و تنها کافی است سرامیکها مورد استفاده در الکترونیکجایگزین کنیم.

مواد آنتی فروالکتریک

در موارد خاصی، جابجاییهای یونی انرژی آزاد را در دمای زیر سرامیکها مورد استفاده در الکترونیک، مینیمم میکنند، اما بدون ظاهر شدن پدیدهی قطبی شدن خود به خودی. به هر حال، یک ثابت دی الکتریک نسبی ماکزیمم در این حالت دیده میشود که این مسئله به تغییر ساختاری مربوط است. حالت دما پایین در این وضعیت را آنتی فروالکتریک مینامند. برای مثال این مسئله درسرامیکها مورد استفاده در الکترونیک مشاهده میشود. جایگزینی زیرکونیوم با درصد کمی تیتانیوم کافی است تا حالت فروالکتریک را پایدار کند. این مسئله نشاندهندهی این است که این حالات دارای انرژیهای آزاد نزدیک هستند.

مواد مغناطیسی

تمام موادی که در داخل یک میدان مغناطیسی(سرامیکها مورد استفاده در الکترونیک ) قرار گیرند، از خود رفتار دیا مغناطیس نشان میدهند. این رفتار واکنشی از ماده است که ماده را در حضور میدان، متمایل به جدایش میکند. این کار بوسیلهی اصلاح توزیع فضایی الکترونها انجام میشود. مغناطش القا شده با سرامیکها مورد استفاده در الکترونیک قابل قیاس است اما رابطهی آنها معکوس است. وقتی برخی از یونهای جامد دارای پوستهی الکترونی ناقص هستند( و در نتیجه میزان اسپین کل غیر صفر حاصل میشود)، از این اثر که دارای دامنهی کوتاه است، میتوان صرفنظر کرد. آنها یک ممنتوم مغناطیسی با خود حمل میکنند که برابرسرامیکها مورد استفاده در الکترونیک است. که در اینجاسرامیکها مورد استفاده در الکترونیک مگنتون بور است. برخی ارقام در جدول1 آورده شده است. این جدول در مورد یونهای فلزات انتقالی و لانتانیدهاست.
سرامیکها مورد استفاده در الکترونیک
انرژی دافعهی کلمبی دو الکترون بسته به اینکه اسپین آنها مشابه یا غیر مشابه باشد، متفاوت است. تفاوت در این انرژی، انرژی تبادلی( exchange energy) نامیده میشود. در مورد مواد عایق، تمام الکترونها را میتوان به صورت متمرکز شده بر روی هسته در نظر گرفت. انرژی تبادلی ابر الکترونی دو یون با اسپین
سرامیکها مورد استفاده در الکترونیک
انرژی آزاد F( کمینهی حالت تعادلی)، تفاوت در توزیع انرژی U و توزیع آنتروپی TS است. بنابراین یک رقابت میان فرایند منظم شدن اسپینی( که تمایل دارد U را کاهش دهد) و تمایل به بی نظمی( افزایش آنتروپی) وجود دارد. در دمای بالا، توزیع آنتروپی برتری دارد و ماده پارامغناطیس است. در طی سرمایش، ظاهر شدن یک نظم مغناطیسی برای دمای بحرانی سرامیکها مورد استفاده در الکترونیک ، امکان پذیر است.

پارامغناطیس

در حالت پارامغناطیس، استفاده از میدان مغناطیسی سرامیکها مورد استفاده در الکترونیک باعث میگردد تا مغناطشسرامیکها مورد استفاده در الکترونیک در ماده ایجاد گردد که این مغناطش با میدان مغناطیسی قابل مقایسه است و با آن رابطهی مستقیم دارد:
سرامیکها مورد استفاده در الکترونیک
پارامترسرامیکها مورد استفاده در الکترونیک میتوان مثبت یا منفی باشد. این مقدار وقتی منفی است که ماده در دمای پایین، فرو یا فری مغناطیس شود و وقتی مثبت است که ماده آنتی فری مغناطیس شود یا نظم مغناطیسی در دمای پایین وجود ندارد.

آنتی فری مغناطیس

در اکسیدها، هر کاتیون بوسیلهی یونهای اکسیژنی احاطه شدهاند که اسپین صفر دارند و میان کنش تبادلی میان کاتیونها غیر مستقیم است. اگر این میان کنش منفی باشد، هم ترازی غیر موازی اسپین ها را در زمانی که تنها یک نوع از کاتیونها مکانهای یکسان را اشغال کردهاند، بیشتر میشود. این مواد در زیر یک دمای بحرانی، آنتی فری مغناطیس است. این دمای بحرانی دمای نیل( Neel temperature) نامیده میشود و با سرامیکها مورد استفاده در الکترونیک نشان داده میشود. در این حالت، مغناطش خود به خود وجود ندارد؛ کاتیونها و آنیونهای داخل شبکهای همدیگر را خنثی میکنند. به هر حال، نظم مغناطیسی میتواند با استفاده از تفرق نوترون ثابت شود. این روش بر روی اکسیدهای دوتایی فلزات انتقالی و یا حتی بر روی فریت رویسرامیکها مورد استفاده در الکترونیک( ) اعمال میشود( جدول 2 را ببینید).
سرامیکها مورد استفاده در الکترونیک

فری مغناطیس

اشغال مکانهای مختلف با کاتیونهای مختلف باعث ایجاد رفتار پیچیدهای میشود. یک مثال خوب در فریت ها، سرامیکها مورد استفاده در الکترونیک با ساختار اسپینل است. این ماده شامل 8 مکان تتراهدرال A و 16 مکان اکتاهدرال B در هر سلول است. انتگرالهای تبادلیسرامیکها مورد استفاده در الکترونیک ، و تماما منفی هستند و میانکنش A-B غالب است. در نتیجه اسپینهای کاتیونهای A موازی همدیگر است و همچنین اسپینهای کاتیونهای B نیز موازی همدیگرند(اما در جهات مختلف). بنابراین در مورد مادهیسرامیکها مورد استفاده در الکترونیک ، نیمی از یونهایسرامیکها مورد استفاده در الکترونیک در مکانهای A و نیمی دیگر در مکانهای B قرار میگیرند و یونهایسرامیکها مورد استفاده در الکترونیک مکانهای باقی ماندهی B را اشغال میکنند. مومنتوم ایجاد شده برابرسرامیکها مورد استفاده در الکترونیک یا حتیسرامیکها مورد استفاده در الکترونیک ( در سرامیکها مورد استفاده در الکترونیک ) است. مقدار کوچک شعاع یونیسرامیکها مورد استفاده در الکترونیک ، علت برتری مختصات تتراهدرال را نشان میدهد. جایگزینی نیکل با روی، با انتقال یونهایسرامیکها مورد استفاده در الکترونیک از مکانهای تتراهدرال به مکانهای اکتاهدرال، انجام میشود( شکل 2 را ببینید). برای درصد بالاتر از 40 % از روی، اثر رقیق شدن یونهای مغناطیسی و همچنین ضعیف شدن میان کنش تبادلی A-B علت کاهش مغناطش را توضیح میدهد.
سرامیکها مورد استفاده در الکترونیک
وقتی جانشینی کامل شود، یونهایسرامیکها مورد استفاده در الکترونیک در ، تنها مکانهای اکتاهدرال را اشغال میکنند. این ماده همانطور که قبلا بدان اشاره شد، یک مادهی آنتی فری مغناطیس است.
ویژگیهای مغناطیسی گارنتهای آهنی میتواند به همیم منوال تفسیر شود. آنها اکسیدهایی با فرمول عمومیسرامیکها مورد استفاده در الکترونیک یا هستند که c در فرمول قبل نشاندهندهی مکانهای 12 سطحی، a نشاندهندهی مکانهای اکتاهدرال و d نشاندهندهی فضاهای تتراهدرال در گارنت است. M یون فلزی غیر مغناطیس و سه ظرفیتی است( که اغبا ایتریم است). مومنتم مغناطیسی ایجاد شده درسرامیکها مورد استفاده در الکترونیک ، برابر است. اگر یونهای M از لانتانیدها باشند، آنها همچنین در مغناطش کلی شرکت دارند. از آنجایی که هر دوتای این بخشهای مغناطش، به طور متفاوت با دما تغییر میکنند، یک تغییر ویژه در مغناطش خود به خودی نسبت به تغییر دما، دیده میشود( شکل 3).
سرامیکها مورد استفاده در الکترونیک
ما باید همچنین توجه کنیم هگزافریت ها دارای ساختار مگنتوپلمبیت( magnetoplumbite)( تقارن هگزاگونال) و ترکیب شیمیاییسرامیکها مورد استفاده در الکترونیک هستند. که در اینجا یک کاتیون دو ظرفیتی است. این ممکن است که سایر یونهای سه ظرفیتی مانندسرامیکها مورد استفاده در الکترونیک و غیره را جایگزین یونهایسرامیکها مورد استفاده در الکترونیک کرد.
در تمام ترکیبات، کنترل توزیع کاتیونها در مکانهای مختلف مشکل است. این مسئله به دما و فشار جزئی اکسیژن بستگی دارد که میزان اکسیداسیون را کنترل میکند و اگر حالت تعادل قابل دستیابی نباشد، حتی شرایط سرد کردن را نیز کنترل میکند. ما وقتی که تصحیحهای جزئی در زیر ساختارهای مختلف وجود داشته باشد، از واژهی فری مغناطیس استفاده میکنیم.
جهت متداول اسپین قراردادی نیست اما آن را میتوان به وسیلهی یک میان کنش اسپین- شبکه (از طریق حرکت اربیتالی الکترونها) تعیین نمود. در مورد تقارن مکعبی، انرژی میان کنش به عنوان تقریب اول به صورت زیر محاسبه میشود:
سرامیکها مورد استفاده در الکترونیک
اگر زوایای تعریف شده جهت گیری مغناطشهای خود به خودی نسبت به سه محور ساختار کریستالوگرافی باشند. اگر K ثابت مثبت باشد، جهت آسان مغناطش برابر جهتسرامیکها مورد استفاده در الکترونیک است( در مورد برعکس، این جهت آسان مغناطش برابرسرامیکها مورد استفاده در الکترونیک است). برای دیدن مثالهای بیشتر، جدول 3 را ببینید.
سرامیکها مورد استفاده در الکترونیک
این میانکنش هنوز در منبع الاستیسیتهی مغناطیسی قرار دارد یعنی یک تغییر شکل ماده تحت اثر میدان مغناطیسی. در مقابل، یک تنش باعث القای مغناطش میشود. در مورد یک سرامیک، تنشهای داخلی که در طی زینترینگ به وجود میآیند، به احتمال زیاد تراوایی مؤثر ماده را کاهش میدهد.
در سرد کردن، ماده به دمینهای مغناطیسی یکنواخت تقسیم میشود، که دمینهای ویس (weiss domains) نامیده میشوند. جهت گیری مجدد دمین ها تحت اثر میدان مغناطیسی منشأ حلقهی پسماند(سرامیکها مورد استفاده در الکترونیک ) است (شکل 4 را ببینید). این حلقه مشابه حلقهی سیکل پسماندسرامیکها مورد استفاده در الکترونیک در مواد فری الکتریک است. فری الکتریسیته و فرو (فری) مغناطیس به طور رسمی به صورت چندین الگوریتم نشان داده میشوند.
سرامیکها مورد استفاده در الکترونیک
منبع: Philippe Boch and Jean-Claude Niepce/ ceramic materials( processing, properties and applications).



 

 



نظرات کاربران
ارسال نظر
با تشکر، نظر شما پس از بررسی و تایید در سایت قرار خواهد گرفت.
متاسفانه در برقراری ارتباط خطایی رخ داده. لطفاً دوباره تلاش کنید.
موارد بیشتر برای شما