ابزارهای برشی تولید شده از کامپوزیت های آلومینا- ویسکر کاربید سیلیکون (1)
کامپوزیت های آلومینا- ویسکر کاربید سیلیکون
اکسید آلومینیوم (آلومینا) به صورت موفقیت آمیزی به عنوان ابزار برش در سال های اخیر و در بسیاری از کاربردهای ماشین کاری، استفاده می شوند، مخصوصاً به دلیل سختی فوق العاده و پایداری شیمیایی این کامپوزیت
نویسندگان: کول کی جان
کیت اچ اشمیت
مترجم: حبیب الله علیخانی
کیت اچ اشمیت
مترجم: حبیب الله علیخانی
اکسید آلومینیوم (آلومینا) به صورت موفقیت آمیزی به عنوان ابزار برش در سال های اخیر و در بسیاری از کاربردهای ماشین کاری، استفاده می شوند، مخصوصاً به دلیل سختی فوق العاده و پایداری شیمیایی این کامپوزیت ها در دماهای بالا. به هر حال، استفاده از آلومینا محدود بود زیرا مقاومت به شکست آن پایین است. به عنوان یک نتیجه، بسیاری از تلاش های تحقیقاتی در طی زمان به منظور بررسی مکانیزم تافنس انجام شده است. افزایش در زمینه ی علاقه ی جهانی در مورد سرامیک ها، مزیت های قابل توجهی را در دو مقوله ی اصلی ایجاد کرده است:
* افزایش تافنس با استفاده از زیرکونیا
* افزایش تافنس با افزودن تقویت کننده و یا الیاف
ابزارهای برش که بوسیله ی مکانیزم تافنس زیرکونیا بهبود یافته اند، به صورت گسترده در صنعت مورد استفاده قرار می گیرند. تقویت آلومینا با ویسکرهای تک کریستالی سیلیکون کاربید (شکل 1)، یکی از توسعه های اخیر در این زمینه می باشد. این کامپوزیت ها، حاوی 45 % حجمی ویسکر می باشند. البته این میزان از ویسکر، به ترکیب زمینه، وابسته می باشد. به طور نمونه وار، ویسکرهای حاوی فازهای آلفا یا بتای سیلیکون کاربید و یا ترکیبی از آنها، می باشند. بسته به فروشنده، ابعاد ویسکرها می تواند از 0.05 تا 1.0 میکرون، متغیر باشد. طول این ویسکرها نیز می تواند 5 تا 125 میکرون باشد. در بررسی های اخیر، این فهمیده شده است که تافنس شکست مربوط به کامپوزیت های آلومینا- SiC حداقل دو برابر کامپوزیت های آلومینا بدون ویسکر تقویت کننده می باشد. به هر حال، ویسکرها از رشد ذرات زمینه جلوگیری می کند و برای حصول کامپوزیت هایی با درصد ویسکر بالاتر از 10 تا 15 % باید از پرس گرم، استفاده کرد. به عنوان نتیجه، بیشتر ابزارهای برش حاوی ویسکرهای تقویت کننده، دارای خواص آنیزوتروپ هستند که علت این مسئله، جهت گیری ترجیحی ویسکرها در داخل این کامپوزیت ها، می باشد.
مکانیزم های افزایش تافنس و خواص مکانیکی
دو مکانیزم افزایش تافنس برای کامپوزیت های آلومینای تقویت شده با ویسکر SiC مورد بررسی و تئوری سازی قرار گرفته است. این دو مکانیزم عبارتند از انحراف ترک و دیگری کشش ویسکر.انحراف ترک
یک مدل انحراف ترک در مواقع بوسیل هی Faber و Evans پیشنهاد و مورد مطالعه قرار گرفته است. این مدل توصیف کننده ی اثربخشی استفاده از ذرات فاز ثانویه به منظور افزایش در تافنس شکست می باشد. این مدل بر پایه ی یک آنالیز بر روی انتقال و یا دوقلویی شدن ترک در زمان عبور از ذرات می باشد که در واقع نشاندهنده ی کاهش در انحراف القا شدده در زمان اعمال نیروی ترک می باشد. میزان عدم تطابق انبساط حرارتی میان ویسکر و زمینه، تعیین کننده ی میزان برهمکنش می باشد. در مورد کامپوزیت های آلومینای تقویت شده با SiC، ضریب انبساط حرارتی مربوط به SiC، کمتر از آلومیناست و از این رو، کشش حلقه ای و فشارهای شعاعی، در داخل زمینه وجود دارد. در حالی است که ویسکرها تحت فشار محوری هستند، زمینه تحت کشش محوری است. از آنجایی که گسترش ترک در جهت عمود بر تنش های کششی است، ترم باید ویسکرها SiC را جذب کند و موازی و یا در زایوه ی مستقیم با آنها، گسترش یابد. این مدل به طور گسترده ای برای توصیف افزایش تافنس سرامیک ها و کامپوزیت های سرامیکی، استفاده می شود. Liu و همکارانش یک مدل انحراف ترک را برای میله های دو بعدی ارائه کردند که در حقیقت اصلاح مناسبی بر مدل بیان شده بوسیله ی Faber و Evans می باشد. این مدل پیشنهاد می دهد که افزایش تافنس علاوه بر اینکه تابعی از نسبت طول به قطر و کسر حجمی ویسکرها می باشد، تابعی از جهت گیری ویسکرها و ترک ها نسبت به هم نیز می باشد. وقتی صفحه ی ترک و جهت گسترش ترک نسبت به صفحه ی ویسکرها، عمود باشند، تافنس تقریباً 7 برابر می شود و K1C نیز دو برابر می شود. به هر حال، بیشتر داده های مربوط به تافنس تجربی که موجود می باشند، کمتر از میزان پیش بینی شده به صورت تئوری است. یک دلیل برای این مسئله، ممکن است این باشد که انحراف ترک به میزان قابل توجهی به اتصال ویسکر- زمینه، وابسته می باشد. این انتظار وجود دارد که تافنس بهینه ی مربوط به کامپوزیت های آلومینایی تقویت شده با ویسکر، در زمانی حاصل می شود که ویسکرهای بدون عیب مورد استفاده قرار گیرد و سطح مشترک ویسکر- آلومینا، در شرایط بهینه قرار داشته باشد.کشش ویسکر و پل زنی
مکانیزم کشش ویسکرها نیازمند این هستند که ویسکرهای با تافنس شکست عرضی بالا به گونه ای باشند که شکست ممکن است در طول سطح مشترک ویسکر/ زمینه، رخ دهد. در حقیقت، افزایش تافنس به دلیل این است که کار اضافی برای کشش ویسکرها از زمینه، مورد نیاز می باشد. تنش انتقال یافته به ویسکر، باید کمتر از استحکام شکست آن باشد و تنش های برشی ایجاد شده در سطح مشترک باید بزرگتر از مقاومت برشی مربوط به سطح مشترک ویسکر/ زمینه، باشد. مقاومت برشی بوسیله ی میزان اتصال، تعیین می شود. برای کامپوزیت های آلومینا- ویسکر SiC، تنش های فشاری مربوط به سطح مشترک به طور قابل توجهی موجب افزایش در مقاومت برشی مؤثر سطح مشترک ویسکر/ زمینه، می شود. Homeny و همکارانش طول بحرانی ویسکرها را برای مکانیزم کشش برابر با 2.6 میکرون، تعیین کردند. فاکتورهایی که در کشش ویسکر منتج می شود، ممکن است منجر به پل زنی ویسکرها شود. مکانیزم مربوطه در زمانی رخ می دهد که ویسکر بی عیب باقی بماند و با سطوح ترک موجود در ناحیه ی شیاردار در پشت بخش گسترش سری ترک، پل زنی کند. پل زنی نیازمند حداقل استحکام سطح مشترک می باشد تا بدین صورت بار به ویسکر انتقال یابد و بالاترین استحکام کششی ویسکر برای حفظ تنش اعمال شده در داخل شیار، حفظ شود. Becher و همکارانش یک طول ناحیه ی پل زنی را محاسبه کردند که در حد 3 تا 6 میکرون بود. این مسئله با مشاهدات مربوط به TEM تطابق داشت.کامپوزیت های آلومینا- ویسکر SiC بوسیله ی برخی از محققین مورد بررسی قرار گرفته اند. عموماً این فهمیده شده است که تافنس شکست با افزایش میزان ویسکر، افزایش می یابد، در حالی که سختی تنها اندکی افزایش می یابد. این رفتار تا زمانی اتفاق می افتد که بارگذاری ویسکرها تا حد ممکنه بالا باشد و بدین صورت تراکم کامل، حاصل نشود. برخی از مقالات نیز به بررسی خواص و فرایندهای مربوط به کامپوزیت های حاوی ویسکر، پرداخته اند.
محققین ادعا کرده اند که تافنس شکست و استحکام شکست مربوط به آلومینای پلی کریستال به طور قابل توجهی و با استفاده از ویسکرهای SiC، افزایش می یابد و به ترتیب به 9MPa.m^(1/2) و 899 MPa می رسد. این ادعا شده است که ویسکرها همانگونه که گفته می شود به صورت مونوکریستال هستند و قطری در حدود 0.6 میکرون دارند. طول آنها نیز بین 10 تا 80 میکرون است و به صورت تصادفی در داخل زمینه ی آلومینایی، قرار داده می شوند.
Becher و Wei مقدار تافنس شکست و استحکام شکستی به ترتیب برابر با 9MPa.m^(1/2) و 800 MPa را بدست آوردند. این گزارش شده است که افزایش تافنس به جهت وابسته می باشد.
Vaughn و همکارانش فهمیدند که نوع ویسکر مورد استفاده دارای اثر قابل توجهی بر روی تافنس شکست و کار مربوط به شکست می باشد (جدول 2). همچنین تفاوت اندک در شیمی و مورفولوژی سطحی ویسکرها نیز می تواند مسئول این اثر باشد. خواص بهبود یافته در حقیقت به دلیل پل زنی ویسکر و مکانیزم کشش، ایجاد می شود.
منبع مقاله :
CERAMIC CUTTING TOOLS/ Materials, Development, and Performance/ E. Dow Whitney
مقالات مرتبط
تازه های مقالات
ارسال نظر
در ارسال نظر شما خطایی رخ داده است
کاربر گرامی، ضمن تشکر از شما نظر شما با موفقیت ثبت گردید. و پس از تائید در فهرست نظرات نمایش داده می شود
نام :
ایمیل :
نظرات کاربران
{{Fullname}} {{Creationdate}}
{{Body}}