رفتار پسماند الکتریکی لایه های BST برحسب درصد استوکیومتری و دمای اندازه گیری تغییر می کند. شکل 1 منحنی های پسماند الکتریکی P-E را در مورد لایه های Ba_0.7 Sr_0.3 TiO_3 در دماهای

باریم استرانسیوم تیتانات (BST) به عنوان یک ماده فروالکتریک، ثابت دی الکتریک بالایی داشته و دمای کوری آن شدیداً به خواص ساختاری آن وابسته است و بنابراین قابلیت کاربردی بالایی را در

روش سل – ژل یکی از روشهای مهم برای تولید نمونه های حجمی و لایه های نازک مواد فروالکتریک با خلوص بالا، اکسیدهای غیرفروالکتریک و مواد فرومغناطیس است. ساخت مواد با این روش به سال

لایه نشانی به کمک پالس لیزر یکی از روشهای مهم در رشد لایه های نازک با کیفیت بالا از موادی است که دارای ساختار پیچیده هستند. نمایی از اصول این روش در شکل 1 نشان داده شده است. در این روش،

لایه های نازک مواد پیروالکتریک به دلیل خواص مغناطیسی جالب توجهی که دارند، امروزه کاربردهای فراوانی پیدا کرده اند. به خصوص از سال 1985 به بعد، به دلیل کاربرد مختلف آنها اهمیتشان افزایش

هنگامی که ابعاد ماده تا اندازه های نانو کاهش پیدا می کند خواص مواد تغییر می کند. این تغییرات میتواند ناشی از اثرات کوانتومی اندازه ، اثرات سطح، تغییر درپارامترهای شبکه و تقارن های بلوری باشد .پارامترهای...

یکی از خصوصیات مهم مواد فروالکتریک گذار فاز یک ماده فروالکتریک با قطبش معین به به ماده بدون قطبش است. این گذاردر دمایی به نام دمای کوری اتفاق می‌افتد. وابستگی دمای گذردهی در شکل 1 نشان داده شده است.

مواد دی‌الکتریک به موادی گفته می‌شود که در یک مدار الکتریکی در برابر عبور جریان الکتریکی مقاومت می‌کنند و توانایی ذخیره‌سازی بارالکتریکی را دارند. هنگامی که یک ماده دی‌الکتریک در معرض یک میدان

K. Okazaki (1981) فهمید که میدان بایاس داخلی در سرامیک های فروالکتریک پلاریزه شده، وجود دارد. در گستره ی فاز فروالکتریک یعنی دماهای زیر T_c، مرزدانه ها در برابر میدان الکتریکی اعمالی، مقاومت

اثر مرزدانه ها بر روی خواص مواد می تواند از سه جنبه در نظر گرفته شود: اثر زاویه ی عدم تطابق که از تغییر در جهت گیری شبکه در مرزدانه نشئت می گیرد.