نیاز به مواد مقاوم در برابر اکسیداسیون و با تحمل دماهای بالا، موجب شده است تا تحقیقات در زمینه ی کامپوزیت های اکسید- اکسید گسترده تر شود. این مواد نیازمند این هستند که دارای یک مکانیزم برای ایجاد انحراف...

کامپوزیت های زیرکونیای تقویت شده با آلومینا که شامل صفر تا 50 % مولی آلومینا هستند، از طریق پرس گرم زیرکونیای پایدار شده با 10 % مولی ایتریا (10-YSZ) و دو شکل مختلف از آلومینا (ذرات آلومینا و ذرات پلاکت...

اثر مربوط به استحاله های افزایش دهنده ی تافنس فاز زیرکونیا و مشارکت ویسکرهای SiC بر روی ریزساختار و خواص فیزیکی، مکانیکی و الکتریکی این مواد در این مقاله مورد بررسی قرار گرفته است. کامپوزیت های با خلوص...

کامپوزیت های آلومینای تقویت شده با ویسکرهای SiC دارای ویژگی های بهبود یافته ای هستند. این بهبود در خواص مکانیکی از جمله استحکام و تافنس شکست ایجاد می شود. این کامپوزیت ها به طور نمونه وار از طریق فرایند...

همانگونه که در بالا توصیف شده است، مقادیر اندکی سیلیکون اضافی ( کمتر از 1 % حجمی) در زمینه ی CVI SiC (دقیقاً بعد از تولید) مربوط به سیستم N24-C ، این سیستم را قادر می سازد تا حمله به الیاف SiC در طی فرآوری...

جایگزینی موفقیت آمیز آلیاژهای فلزی بوسیله ی کامپوزیت های زمینه سرامیکی (CMC) در اجزای دما بالای موتورها، نیازمند توسعه ی مواد ساختاری و فریندهایی خواهد بود که بتوانند سیستم های CMC با ظرفیت حرارتی بالا...

تولید اجزای C/SiC با استفاده از پیش ماده های پلیمری، روش نفوذ پلیمر مذاب (LPI) یا نفوذ پلیمر و پیرولیز (PIP) نامیده می شود. این روش، یکی از مناسب ترین روش های تولید قطعات CMC بزرگ و پیچیده در صنعت هوافضا،...

کامپوزیت های زمینه سرامیکی (CMC) تولید شده از الیاف کربن و سیلیکون کاربید، یک گروه جدید از مواد ساختاری می باشد. در سال های اخیر، فرایندهای تولید و مواد جدید توسعه یافته اند. استفاده از الیاف تقویت کننده...

کامپوزیت های SiC/SiC از طریق فرایند نفوذ فاز بخار شیمیایی تولید می شوند. زمینه های بر پایه ی SiC از واکنش دهنده های گازی و بر روی زیرلایه های حرارت دیده از جنش الیاف SiC، رسوب دهی می شوند. یک فاز میانی...

پدیده ی اساسی تخریب در کامپوزیت های غیر جهت دار در واقع ایجاد میکروترک ها یا ترک ها در زمینه می باشد. این ترک ها به طور عمود بر جهت بارگذاری ایجاد می شود و بوسیله ی الیاف متوقف می شوند و در سطح مشترک