مواد دی‌الکتریک به موادی گفته می‌شود که در یک مدار الکتریکی در برابر عبور جریان الکتریکی مقاومت می‌کنند و توانایی ذخیره‌سازی بارالکتریکی را دارند. هنگامی که یک ماده دی‌الکتریک در معرض یک میدان

K. Okazaki (1981) فهمید که میدان بایاس داخلی در سرامیک های فروالکتریک پلاریزه شده، وجود دارد. در گستره ی فاز فروالکتریک یعنی دماهای زیر T_c، مرزدانه ها در برابر میدان الکتریکی اعمالی، مقاومت

اثر مرزدانه ها بر روی خواص مواد می تواند از سه جنبه در نظر گرفته شود: اثر زاویه ی عدم تطابق که از تغییر در جهت گیری شبکه در مرزدانه نشئت می گیرد.

وقتی مواد تحت تغییر شکل پلاستیک هستند، دو نوع از رشد دانه می تواند در فرایند آنیل رخ دهد. مورد اول و دوم، ری کریستالیزاسیون است. وقتی اولین ری کریستالیزاسیون در زمینه و تحت تغییر شکل پلاستیک رخ می

جاهای خالی تحت اثر گرادیان تنشی از مرزدانه های تحت تنش فشاری مهاجرت می کنند و به مرزدانه های با حالت تنشی کششی می روند یعنی مکانیزم Nabarrohering مربوط به مهاجرت جاهای خالی. Herring

نواحی مرزدانه ای با انرژی بالا، بر روی اثرات کاربردی مختلف، مؤثرند. در اینجا، ما ویژگی های آنها در سرامیک های PLZT و BaTiO_3 را مورد بررسی قرار می دهیم و رابطه ی میان ناحیه ی مرزدانه ای،

مواد فریتی نرم در واقع مواد مغناطیسی هستند که دارای میدان کوئرسیو کوچکی هستند. کاربرد عمده ی این مواد در ارتباطات و اسباب بازی های الکترونیکی است. با استفاده از فرکانس های رادیویی چند میلیون مگاهرتز،

خازن های لایه ی مرزی یک مثال موفق از کنترل ساختار و خواص از طرق مهندسی مرزدانه ها برای سرامیک های الکتریکی می باشد. خازن های لایه مرزی دارای ویژگی های ریزساختاری از دانه های نیمه رسانایی

مشابه خواص مکانیکی، دانه ها دارای الاستیسیته ی نمونه واری است که علت ان وجود ساختار دوره ای مشخص و ایده آل در این بخش هاست؛ در حالی که مرزدانه ها برخی اوقات خاصیت ویسکوالاستیک از خود نشان

این مقاله به توصیف پدیده های مربوط به مرزدانه ها و اثر آنها بر روی خواص می پردازد. این مواد عبارتند از: