این مقاله به توصیف پدیده های مربوط به مرزدانه ها و اثر آنها بر روی خواص می پردازد. این مواد عبارتند از:

اچ شیمیایی برای بررسی حالت انرژی مربوط به ناحیه ی مرزدانه ای، استفاده می شود. نمونه های پولیش داده شده در دمایی 50 تا 100 درجه زیر دمای زینترینگ و به مدت چند دقیقه، آنیل می شوند. با تهییج گرمایی،

سرامیک های فروالکتریک شفاف کاربردهای مهمی در زمینه ی تولید وسایل اپتوالکترونیکی دارند. از آنها همچنین در تولید آرایه های گیت نور خطی، صفحات نمایش بخش بخشی شده، مدولاتورهای IR نزدیک و ...

به دلیل خواص ε و ثابت الکترواستاتیک بالا به همراه قابلیت زینترینگ در دماهای بالا، مواد فروالکتریک رلاکسور مواد دی الکتریک و فعال کننده ی خوبی را تولید می کنند. یک تعداد از مواد فروالکتریک رلاکسور که

به دلیل قابلیت آنها در بلوکه کردن dc، حمل بار، فیلتر کردن موج، گذردهی و کوپلینگ و نوسانگری در فرکانس رادیویی، خازن ها به صورت گسترده ای در کامپیوترهای شخصی، تلفن ها، تلویزیون ها، وسایل ارتباطی و

شکل 1 نشاندهنده ی یک ناحیه ی مسطح در حوالی مرزدانه های سرامیک های PLZT و PZT می باشد. این تصویر پس از اچ بدست آمده است. اچ گرمایی موجب انتقال اجباری جرم و مهاجرت جرمی از نواحی با انرژی

پلاریزاسیون فروالکتریک ایجاد می شود و بدین صورت دمین های الکتریکی و استحاله ی فازی در سرامیک های فروالکتریک، رخ می دهد. دمین های الکتریکی واقعی و یا دیواره ی دمین ها، از تنش های داخلی اساسی

یک میدان خارجی باید اعمال شود تا بدین صورت دمین های با جهت گیری تصادفی به جهت مناسب قرار گیرند و بدین صورت حجم دمین با جهت مشابه افزایش یابد و یک P_s کل تشکیل شود. شکل 1a یک فرایند قطبی

معمولاً سرامیک ها با زینترینگ و سرد کردن مشهور هستند. این فرایندها، موجب ایجاد تنش در سرامیک ها می شود. برای کریستال های نامتقارن، این مسئله منجر به تشکیل مرزدانه هایی با تنش های کششی و فشاری می

دانه ها در واقع خواصی مشابه تک کریستال ها با ترکیب مشابه را دارند. به صورت ایده آل، تمام نواحی میکرونی در یک دانه دارای خواص مشابهی است. به هر حال، تفاوت در ترکیب و خواص می تواند در میان نواحی مرزدانه...